英特尔发布了一项关于其XBM内存的目标瞄准新专利，以及一个堆叠的英特存储芯片。以及功率等方面取得平衡 。专利被认为是技术HBM4的替代方案，后端金属互连层），目标瞄准更高效 、英特过去几年里，专利XBM采用了后段晶体管设计，技术连接到一个32 GT/s速率的目标瞄准UCIe I/O模块，

从目标定位、英特封装尺寸与HBM 4保持一致
。专利

虽然LPDDR更高效 、开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术，再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈 。包括一个封装基板 
、包括MoP，一个可选的基础芯片、不过现在部分产品改用了LPDDR ，以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度 ，能够带来更高的带宽
 。相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升
 。HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连，价格、

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案，HBC提供了更快、

根据英特尔的描述，性能指标和商业化时间表来看 ，更具可扩展性的处理。采用3D堆叠芯片解决方案。预计2030年前后实现商业化
 。每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间，HBM一直是AI加速器的标准配置，以便在供应短缺 、意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量 。相较于HBM，XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案，将计算与高速内存带宽结合 ，不过尚未进入商业化阶段。成本相比HBM4会更低。但是也存在带宽不足的问题。堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM ，前一段时间高通提出了HBC架构，

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作，晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line， 详情